企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7.7k 内容数 99w+ 浏览量 280 粉丝

DMN3008SFGQ 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管 汽车款

型号: DMN3008SFGQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN3008SFGQ
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI3333-8

--- 产品详情 ---

DMN3008SFGQ 

产品简介
DIODES 的 DMN3008SFGQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN3008SFGQ
名称                30V N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                PowerDI3333-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 62 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 41 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 86 nC
CISS Typ (pF) 3690 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低 R DS(ON) – 确保最小化通态损耗
小型、高效热封装可实现更高密度的最终产品
仅占 SO-8 所占电路板面积的 33%,可实现更小的最终产品
生产中进行 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试

 

相关型号
DMN2992UFB4Q
DMN29M9UFDF
DMN3006SCA6
DMN3007LSS
DMN3008SCP10
DMN3008SFG
DMN3008SFGQ
DMN3009LFV
DMN3009LFVQ
DMN3009LFVW
DMN3009LFVWQ
DMN3009SFG
DMN3009SFGQ
DMN3009SK3
DMN3009SSS
DMN3010LFG
DMN3010LK3
DMN3010LSS
DMN3012LEG
DMN3012LFG
DMN3013LDG
DMN3013LFG
DMN3015LSD
DMN3016LDN
DMN3016LDV
DMN3016LFDE
DMN3016LFDF
DMN3016LFDFQ
DMN3016LK3
DMN3016LPS
DMN3016LSS
DMN3018SFG
DMN3018SSD
DMN3018SSS
DMN3020UFDF
DMN3020UFDFQ
DMN3020UTS
DMN3021LFDF
DMN3022LDG
DMN3022LFG

 

为你推荐