产品简介
DIODES 的 DMN2990UDJQ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2990UDJQ
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT963
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.45 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 27.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
双 N 沟道 MOSFET
低导通电阻
极低的栅极阈值电压，最大值 1.0V
低输入电容
开关速度快
超小型表面贴装封装 1mm x 1mm
低封装外形，最大封装高度 0.45mm
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