产品简介
DIODES 的 DMN2320UFB4 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（打开）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2320UFB4
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 X2-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 320 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.89 nC
CISS Typ (pF) 71 pF
主要特征
占地面积仅为0.6mm2
比SOT23小13倍
0.4mm剖面–非常适合低剖面应用
低栅极阈值电压
切换速度快
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