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DMN2310UFD 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2310UFD

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2310UFD
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN1212-3 (Type C)

--- 产品详情 ---

DMN2310UFD 

产品简介
DIODES 的 DMN2310UFD 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2310UFD
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN1212-3 (Type C)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 300 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 400 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC

 

主要特征
低导通电阻
极低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
ESD保护栅极


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