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DMN2300U 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2300U

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2300U
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN2300U 

产品简介
DIODES 的 DMN2300U 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2300U
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.55 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 175 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 360 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.6 nC
CISS Typ (pF) 70 pF

 

主要特征
导通电阻<200mΩ
低栅极阈值电压
快速切换速度


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