产品简介
DIODES 的 DMN22M5UFG 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选，用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN22M5UFG
名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®3333-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2.0 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2.6 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 53 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 99 nC
CISS Typ (pF) 3926 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 RDS(ON) – 确保导通状态损耗最小化
小尺寸、高热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
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