产品简介
DIODES 的 DMN2053U 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2053U
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 91 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
CISS Typ (pF) 414 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
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