产品简介
DIODES 的 DMN2050LFDB 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2050LFDB
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6 (Type B)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.42 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 55 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12 nC
CISS Typ (pF) 389 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
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