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DMN2024UFDF 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2024UFDF

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2024UFDF
  • 名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 产品详情 ---

DMN2024UFDF 

产品简介
DIODES 的 DMN2024UFDF 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2024UFDF
名称               20V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6 (Type F)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.67 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 26 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 36 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.8 nC
CISS Typ (pF) 647 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
0.6 毫米轮廓 - 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积为 4mm2
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极


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