产品简介
DIODES 的 DMN2019UTS 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2019UTS
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 TSSOP-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 143 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
高达2KV的ESD保护
相关型号
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
