产品简介
DIODES 的DMN2005UFG 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2005UFG
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装使密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%较小的最终产品
100%UIS和Rg测试
相关型号
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
