产品简介
DIODES 的DMN2004K 这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电阻（RDS（on）），同时保持卓越的开关性能性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2004K
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.63 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 550 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.9 nC
CISS Typ (pF) 87 pF
主要特征
低导通电阻：RDS（导通）=550（最大）mΩ @ VGS=4.5伏
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
高达2KV的ESD保护
相关型号
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
DMN1150UFB
DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
DMN1260UFA
DMN12M3UCA6
DMN12M7UCA10
DMN12M8UCA10
DMN13H750S
DMN13M9UCA6
DMN14M8UFDF
DMN15H310SE
DMN15H310SK3
DMN15M3UCA6
DMN15M5UCA6
DMN16M0UCA6
DMN16M8UCA6
DMN16M9UCA6
DMN2004DMK
DMN2004DWK
DMN2004K
DMN2004TK
DMN2004VK
DMN2004WK
DMN2004WKQ
DMN2005DLP4K
DMN2005K
DMN2005LP4K
DMN2005LPK
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
