--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN2004DWK
- 名称 N沟道MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT363
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的DMN2004DWK 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使它是高效电源管理应用的理想选择。
负载开关
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2004DWK
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 SOT363
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.54 A
PD @TA = +25°C (W) 0.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 550 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.53 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) .95 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 87 pF
主要特征
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面安装封装
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