企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

5.3k 内容数 33w+ 浏览量 59 粉丝

DMN2004DWK 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2004DWK

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2004DWK
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

DMN2004DWK 

产品简介
DIODES 的DMN2004DWK 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使它是高效电源管理应用的理想选择。
负载开关

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2004DWK
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               SOT363

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.54 A
PD @TA = +25°C (W) 0.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 550 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.53 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) .95 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 87 pF


主要特征
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面安装封装


相关型号
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
DMN1150UFB
DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
DMN1260UFA
DMN12M3UCA6
DMN12M7UCA10
DMN12M8UCA10
DMN13H750S
DMN13M9UCA6
DMN14M8UFDF
DMN15H310SE
DMN15H310SK3
DMN15M3UCA6
DMN15M5UCA6
DMN16M0UCA6
DMN16M8UCA6
DMN16M9UCA6
DMN2004DMK
DMN2004DWK
DMN2004K
DMN2004TK
DMN2004VK
DMN2004WK
DMN2004WKQ
DMN2005DLP4K
DMN2005K
DMN2005LP4K
DMN2005LPK
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS

 

为你推荐