--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN1250UFEL
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-QFN1515-12
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的DMN1250UFEL 这款新一代 Mix-MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1250UFEL
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-QFN1515-12
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 8N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.25 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 550 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.3 nC
CISS Typ (pF) 146 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
低栅极电荷
R DS(ON):350mΩ @ VGS = 4.5V(单 MOSFET)
1 个器件中包含 8 个 N 沟道 MOSFET
共同来源小尺寸 1.5mm × 1.5mm
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