产品简介
DIODES 的 DMN1150UFB这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1150UFB
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 185 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 210 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.5 nC
CISS Typ (pF) 110 pF
主要特征
低导通电阻
极低栅极阈值电压VGS（TH），最大1.0V
低输入电容
切换速度快
ESD保护门
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