产品简介
DIODES 的 DMN10H220LVT这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（on）），并且仍然保持优异的切换性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H220LVT
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TSOT26
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.24 A
PD @TA = +25°C (W) 1.67 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
低输入电容
低导通电阻
开关速度快
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