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DMN10H220LQ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN10H220LQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN10H220LQ
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN10H220LQ

产品简介
DIODES 的 DMN10H220LQ这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准,由PPAP,非常适合用于:
负载开关

 

产品规格 
品牌              DIODES
型号              DMN10H220LQ
名称              N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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