产品简介
DIODES 的 DMN10H220LPDW这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
负载开关
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H220LPDW
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
生产中的100%无阻尼感应开关（UIS）测试
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
用于改进光学检查的可润湿侧翼
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