产品简介
DIODES 的 DMN10H170SK3这款新一代 100V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合 DC/DC 电源管理和主板/服务器应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H170SK3
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 12 A
PD @TA = +25°C (W) 2.84 W
PD @TC = +25°C (W) 42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 140 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 160 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
相关型号
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
DMN10H170SVTQ
DMN10H220L
DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
DMN10H220LPDW
DMN10H220LQ
DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB
