产品简介
DIODES 的 DMN10H120SFG这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（打开）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H120SFG
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 POWERDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 122 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.6 nC
CISS Typ (pF) 549 pF
主要特征
低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装可实现更高的密度最终产品
仅占SO-8板面积的33%较小的最终产品
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