产品简介
DIODES 的 DMN10H100SK3这种新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H100SK3
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
PD @TC = +25°C (W) 37 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 100 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.2 nC
CISS Typ (pF) 1172 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低 RDS(ON) – 确保最小化状态损耗
小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
不含卤素和锑。“绿色”设备
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