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DMN1025UFDB 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN1025UFDB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN1025UFDB
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMN1025UFDB 

产品简介
DIODES 的 DMN1025UFDB这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMN1025UFDB
名称            N沟道MOSFET
产地            台湾
封装             U-DFN2020-6


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.1 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 917 pF


主要特征
低导通电阻
低输入电容
薄型,最大高度0.6mm
ESD保护门


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