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DMN1008UFDFQ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN1008UFDFQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN1008UFDFQ
  • 名称 12V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMN1008UFDFQ 

产品简介
DIODES 的 DMN1008UFDFQ这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准,由PPAP,非常适合用于:
电池管理应用程序
电源管理功能
DC-DC转换器

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMN1008UFDFQ
名称            12V N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装             U-DFN2020-6


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8 nC
CISS Typ (pF) 995 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积为 4mm2
低栅极阈值电压
开关速度快


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