产品简介
DIODES 的 DMN1008UFDF这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1008UFDF
名称 12V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 13.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 995 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积 4mm 2
低栅极阈值电压
开关速度快
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