产品简介
DIODES 的 DMN1004UFDF这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（ON））同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1004UFDF
名称 12V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47 nC
CISS Typ (pF) 2385 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积 4mm 2
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD 保护高达 8kV
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