产品简介
DIODES 的 DMN1003UFDE这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RSS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1003UFDE
名称 12V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 22 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 27 nC
CISS Typ (pF) 2551 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD保护栅极
相关型号
DMG7410SFG
DMG7430LFG
DMG7430LFGQ
DMG8601UFG
DMG8822UTS
DMG8880LK3
DMG9926UDM
DMG9926USD
DMG9933USD
DMGD7N45SSD
DMHC10H170SFJ
DMHC3025LSD
DMHC3025LSDQ
DMHC4035LSD
DMHC4035LSDQ
DMHC6070LSD
DMHT10H032LFJ
DMHT3006LFJ
DMHT6016LFJ
DMN1001UCA10
DMN1002UCA6
DMN1003UCA6
DMN1003UFDE
DMN1004UFDF
DMN1004UFV
DMN1006UCA6
DMN1008UFDF
DMN1008UFDFQ
