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DMHC10H170SFJ 互补增强模式 MOSFET 晶体管

型号: DMHC10H170SFJ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMHC10H170SFJ
  • 名称 100V 互补增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN5045-12

--- 产品详情 ---

DMHC10H170SFJ 

产品简介
DIODES 的 DMHC10H170SFJ 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻(RDS(ON))同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
高效桥式整流器

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMHC10H170SFJ
名称            100V 互补增强模式 MOSFET 
产地            台湾
封装            V-DFN5045-12

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 2N2P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3, 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 250, 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300, 200 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1, 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17.5, 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1239, 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低输入电容
电源应用的高BVDs额定值
低输入/输出泄漏


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