产品简介
DIODES 的 DMG9933USD 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG9933USD
名称 双 P 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SO-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 110 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
CISS Typ (pF) 608.4 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
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