--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMG7430LFGQ
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI3333-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMG7430LFGQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准,由PPAP,非常适合用于:
电机控制
电源管理功能
DC-DC转换器
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG7430LFGQ
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 26.7 nC
CISS Typ (pF) 1281 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 RDS(ON) – 确保最小化状态损失
100% 非钳位感应开关,生产测试 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%,从而实现更小的最终产品
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