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DMG7430LFG 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG7430LFG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG7430LFG
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMG7430LFG 

产品简介
DIODES 的 DMG7430LFG 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
背光
电源管理功能
DC-DC转换器

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG7430LFG
名称            N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            POWERDI®3333-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 26.7 nC
CISS Typ (pF) 1281 pF


主要特征
低RDS(ON)–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸热效封装实现更高密度最终产品
仅占SO-8占据的董事会面积的33%实现更小的最终产品


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