产品简介
DIODES 的 DMG6601LVT 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG6601LVT
名称 互补对增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 TSOT26
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 12, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8, 2.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 55, 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65, 142 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 85, 190 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5, 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.4, 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.3, 13.8 nC
CISS Typ (pF) 422, 541 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V
主要特征
互补MOSFET
低导通电阻
低输入电容
快速切换速
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