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DMG6402LVT 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG6402LVT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG6402LVT
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TSOT26

--- 产品详情 ---

DMG6402LVT 

产品简介
DIODES 的 DMG6402LVT 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG6402LVT
名称            N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            TSOT26

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.75 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 42 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.4 nC
CISS Typ (pF) 498 pF


主要特征
低输入电容
低导通电阻
快速切换速度


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