产品简介
DIODES 的 DMG4800LSD 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG4800LSD
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SO-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.56 (@5V) nC
CISS Typ (pF) 798 pF
主要特征
100%雪崩额定部件
低RDS（ON）–最大限度地减少传导损耗
低Qg–最大限度地减少开关损耗
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