产品简介
DIODES 的 DMG3413L 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(on) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG3413L
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 130 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 190 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9 nC
CISS Typ (pF) 857 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
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