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DMG3407SSN 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG3407SSN

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG3407SSN
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SC59

--- 产品详情 ---

DMG3407SSN 

产品简介
DIODES 的 DMG3407SSN 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
负载开关
DC-DC转换器
电源管理功能

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG3407SSN
名称            P 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            SC59


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 72 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.3 nC
CISS Typ (pF) 582 pF


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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