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DMG3406L 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG3406L

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG3406L
  • 名称 30V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMG3406L 

产品简介
DIODES 的 DMG3406L 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
蓄电池充电
电源管理功能
DC-DC转换器
便携式电源适配器

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG3406L
名称            30V N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            SOT23


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 70 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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