产品简介
DIODES 的 DMG3401LSN 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该设备非常适合手持式应用
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG3401LSN
名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SC59
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1326 pF
主要特征
低输入电容
低导通电阻
低输入/输出泄漏
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