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DMG1012UWQ 互补对增强模式 MOSFET 晶体管

型号: DMG1012UWQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG1012UWQ
  • 名称 互补对增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT323

--- 产品详情 ---

DMG1012UWQ 

产品简介
DIODES 的 DMG1012UWQ 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
通用接口交换机
电源管理功能
DC-DC转换器
模拟开关


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG1012UWQ
名称            互补对增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装             SOT323


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.95 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 60.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电放电保护


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