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ZXTP2008ZQ PNP 低饱和 中功率 晶体管

型号: ZXTP2008ZQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXTP2008ZQ
  • 名称 PNP低饱和中功率晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SMD/DIP

--- 产品详情 ---

ZXTP2008ZQ 

 产品简介
DIODES 的 ZXTP2008ZQ(PNP、30V、5.5A、SOT89)这种双极结型晶体管(BJT)设计用于满足汽车应用的要求。

 

产品规格 
品牌       DIODES
型号      ZXTP2008ZQ
名称      PNP低饱和中功率晶体管
产地       台湾
封装       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-30伏
IC=-5.5A连续集电极电流
ICM=-20A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE(SAT)<-60mV最大值@-1A
RSAT=24mΩ @ -5.5A用于低等效导通电阻
低至-10mA的卓越增益线性
高增益保持规定的高达-20A的hFE
完全无铅且完全符合RoHS(注1和2)
不含卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性标准
PPAP功能(注4)

 

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