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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF3021-SM 分立式 GaN 射频晶体管

型号: TGF3021-SM

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 30
  • 最大频率(MHz) 4,000
  • 增益(分贝) 19
  • 饱和度(dBm) 45
  • PAE (%) 73
  • 电压(伏) 32
  • Idq (毫安) 65
  • 包装类型 QFN
  • 包装(毫米) 4×3

--- 产品详情 ---

TGF3021-SM 

产品简介
Qorvo 的 TGF3021-SM 是一款 30 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 4 GHz 和 32V 电源轨下运行。该器件采用行业标准 3x4mm QFN 封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 30
最大频率(MHz) 4,000
增益(分贝) 19
饱和度(dBm) 45
PAE (%) 73
电压(伏) 32
Idq (毫安) 65
包装类型 QFN
包装(毫米) 4×3

 

主要特征
频率范围:30 MHz-4.0 GHz
输出功率 (P3dB):2.0 GHz 时为 36 W
线性增益:2.0 GHz 时典型值为 19.3 dB
典型 PAE3dB:2.0 GHz 时为 72.7%
工作电压:32V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 4 毫米封装

 

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