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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF3020-SM 分立式GaN 输入匹配晶体管

型号: TGF3020-SM

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 4,000
  • 最大频率(MHz) 6,000
  • 增益(分贝) 12.7
  • 饱和度(dBm) 38.3
  • PAE (%) 59.6 @ 5GHz
  • 电压(伏) 32
  • Idq (毫安) 25
  • 包装类型 QFN
  • 包装(毫米) 3×3

--- 产品详情 ---

TGF3020-SM 

产品简介
Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,工作频率范围为 4.0 至 6.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能,而输出可在板上匹配以优化频带内任何区域的功率和效率。
该器件采用行业标准的 3 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。

 

产品规格
最低频率(MHz) 4,000
最大频率(MHz) 6,000
增益(分贝) 12.7
饱和度(dBm) 38.3
PAE (%) 59.6 @ 5GHz
电压(伏) 32
Idq (毫安) 25
包装类型 QFN
包装(毫米) 3×3

 

主要特征
频率范围:4 - 6 GHz
输出功率 (P3dB):5GHz 时为 6.8W
线性增益:5 GHz 时典型值为 12.7 dB
典型 PAE3dB:5 GHz 时为 59.6%
工作电压:32V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 3 毫米封装

 

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