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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF2978-SM 分立式 GaN 射频晶体管

型号: TGF2978-SM

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 12,000
  • 增益(分贝) 11
  • 饱和度(dBm) 42.8
  • PAE (%) 46
  • 电压(伏) 32
  • Idq (毫安) 100
  • 包装类型 QFN
  • 包装(毫米) 4×3

--- 产品详情 ---

TGF2978-SM

产品简介
Qorvo 的 TGF2978-SM 是一款 20 W (P3dB) 宽带无可匹敌的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在直流至 12 GHz 和 32V 电源轨下运行。该器件采用行业标准 3x3mm QFN 封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 12,000
增益(分贝) 11
饱和度(dBm) 42.8
PAE (%) 46
电压(伏) 32
Idq (毫安) 100
包装类型 QFN
包装(毫米) 4×3

 

主要特征
频率范围:DC - 12 GHz
输出功率 (P3dB):9.4 GHz 时为 19 W
线性增益:9.4 GHz 时典型值为 11 dB
典型 PAE3dB:9.4 GHz 时为 46%
工作电压:32V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 4 毫米封装

 

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