产品简介
Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 电源下工作。该器件采用 Qorvo 成熟的 QGaN15 工艺构建。该器件可以支持脉冲、CW 和线性操作。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 25,000
增益（分贝） 15
饱和度(dBm) 38.6
PAE （%） 57
电压（伏） 28
Idq （毫安） 80
包装（毫米） 0.83 x 0.55 x 0.10
主要特征
频率范围：DC - 25 GHz
输出功率 (P3dB)：10 GHz 时为 7.2 W
线性增益：10 GHz 时典型值为 15 dB
典型 PAE3dB：10 GHz 时为 57%
10 GHz 时的典型 NF：1.3 dB
工作电压：28V
CW 和脉冲能力
0.83 x 0.55 x 0.10 芯片
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