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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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T2G6003028-FL 射频功率晶体管

型号: T2G6003028-FL

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 6,000
  • 增益(分贝) 14
  • 饱和度(dBm) 45
  • PAE (%) 50
  • 电压(伏) 28
  • Idq (毫安) 200
  • 包装类型 NI-200

--- 产品详情 ---

T2G6003028-FL

产品简介
Qorvo 的 T2G6003028-FL 是一款 30 W (P3dB) 宽带输入预匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在直流至 6 GHz 和 28V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装,非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 6,000
增益(分贝) 14
饱和度(dBm) 45
PAE (%) 50
电压(伏) 28
Idq (毫安) 200
包装类型 NI-200

 

主要特征
频率:直流至 6 GHz
输出功率 (P3dB):6 GHz 时为 30 W
线性增益:6 GHz 时 >14 dB
工作电压:28V
低热阻封装

 

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