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QPD1029L 输入匹配晶体管

型号: QPD1029L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 1,200
  • 最大频率(MHz) 1,400
  • 饱和度(dBm) 61.8
  • PAE (%) 75
  • 电压(伏) 65
  • Idq (毫安) 1,500
  • 包装类型 NI-1230(有耳)

--- 产品详情 ---

QPD1029L

产品简介
Qorvo 的 QPD1029L 是 SiC HEMT 上的 1500 W (P3dB) 分立式 GaN,工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装,非常适合 IFF、航空电子设备和测试仪器。该器件可支持 CW 和脉冲操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
饱和度(dBm) 61.8
PAE (%) 75
电压(伏) 65
Idq (毫安) 1,500
包装类型 NI-1230(有耳)

 

主要特征
频率范围:1.2 - 1.4 GHz
输出功率 (P3dB):1.3 GHz 时为 1500 W
线性增益:1.3 GHz 时典型值为 21.3 dB
典型 PAE3dB:1.3 GHz 时为 75%
工作电压:65V
低热阻封装
CW 和脉冲能力

 

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