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QPD1019 内部匹配分立式 GaN

型号: QPD1019

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 2,900
  • 最大频率(MHz) 3,300
  • 增益(分贝) 15.5
  • 饱和度(dBm) 57.7
  • PAE (%) 67
  • 电压(伏) 50
  • Idq (毫安) 750
  • 包装类型 RF-565

--- 产品详情 ---

QPD1019

产品简介
Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET,完全匹配 50 欧姆,采用行业标准气腔封装,非常适合军用雷达。

 

产品规格
最低频率(MHz) 2,900
最大频率(MHz) 3,300
增益(分贝) 15.5
饱和度(dBm) 57.7
PAE (%) 67
电压(伏) 50
Idq (毫安) 750
包装类型 RF-565

 

主要特征
频率范围:2.9 - 3.3 GHz
输出功率 (P3dB):3.1 GHz 时为 590 W
线性增益:3.1 GHz 时典型值为 15.5 dB
典型 PAE3dB:3.1 GHz 时为 67%
工作电压:50V
低热阻封装
脉冲能力

 

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