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QPD1016 射频晶体管

型号: QPD1016

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 1,700
  • 增益(分贝) 23.9
  • 饱和度(dBm) 58.3
  • PAE (%) 77.4
  • 电压(伏) 50
  • Idq (毫安) 1,000
  • 包装类型 NI-780

--- 产品详情 ---

QPD1016

产品简介
Qorvo 的 QPD1016 是一款 500 W (P3dB) 预匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 1.7 GHz 和 50 V 电源下工作。该器件采用行业标准气腔封装,非常适合 IFF、航空电子设备、军用和民用雷达以及测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 1,700
增益(分贝) 23.9
饱和度(dBm) 58.3
PAE (%) 77.4
电压(伏) 50
Idq (毫安) 1,000
包装类型 NI-780

 

主要特征
频率范围:DC - 1.7 GHz
输出功率 (P3dB):1.3 GHz 时为 680 W
线性增益:1.3 GHz 时典型值为 23.9 dB
典型 PAE3dB:1.3 GHz 时为 77.4%
工作电压:50V
低热阻封装
连续波和脉冲能力

 

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