产品简介
Qorvo 的 QPD1013 是一款 150 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 2.7 GHz。这是一款采用包覆成型塑料封装的单级无与伦比的功率放大器晶体管。QPD1013 的高功率和宽带宽使其适用于从直流到 2.7 GHz 的许多不同应用。
该器件采用行业标准的 7.2 x 6.6 mm 表面贴装 DFN 封装。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 2,700
增益（分贝） 21.8
PAE （%） 64.8
电压（伏） 65
Idq （毫安） 240
包装类型 DFN
包装（毫米） 7.2×6.6
主要特征
频率范围：DC - 2.7 GHz
输出功率 (P3dB)：1.8 GHz 时为 178 W
线性增益：1.8 GHz 时典型值为 21.8 dB
典型 PAE3dB：1.8 GHz 时为 64.8%
工作电压：65V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
7.2 x 6.6 毫米封装
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