--- 产品参数 ---
- 最低频率(MHz) 直流电
- 最大频率(MHz) 4,000
- 增益(分贝) 24.7
- 饱和度(dBm) 40.4
- PAE (%) 70
- 电压(伏) 50
- Idq (毫安) 18
- 包装类型 QFN
- 包装(毫米) 3×3
--- 产品详情 ---
产品简介
Qorvo 的 QPD1010 是 SiC HEMT 上的 10 W (P3dB) 分立式 GaN,工作频率范围为 DC 至 4 GHz。该器件采用 Qorvo 经验证的 QGaN25HV 工艺构建,该工艺采用先进的场板技术,可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言,这种优化可能会降低系统成本。
该器件采用行业标准的 3 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 4,000
增益(分贝) 24.7
饱和度(dBm) 40.4
PAE (%) 70
电压(伏) 50
Idq (毫安) 18
包装类型 QFN
包装(毫米) 3×3
主要特征
频率范围:DC - 4 GHz
输出功率 (P3dB):2 GHz 时为 11 W
线性增益:2 GHz 时典型值为 24.7 dB
典型 PAE3dB:2 GHz 时为 70%
工作电压:50V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 3 毫米封装
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