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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1008L 射频功率晶体管

型号: QPD1008L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 3,200
  • 增益(分贝) > 17
  • 饱和度(dBm) 52
  • PAE (%) 70
  • 电压(伏) 50
  • Idq (毫安) 260
  • 包装类型 NI-360

--- 产品详情 ---

QPD1008L

产品简介
Qorvo 的 QPD1008L 是一款 125 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 3.2 GHz 和 50V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装,非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲、CW 和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 3,200
增益(分贝) > 17
饱和度(dBm) 52
PAE (%) 70
电压(伏) 50
Idq (毫安) 260
包装类型 NI-360

 

主要特征
频率范围:DC - 3.2GHz
输出功率 (P3dB):2 GHz 时为 162 W
线性增益:> 17 dB,典型值为 2 GHz
典型 PAE3dB:在 2 GHz 时 > 70 %
工作电压:50V
低热阻封装

 

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